BC549 Transistor BJT NPN 30V @ 100mA

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Descripcion:

Este es el BC337, un BJT (transistor de unión bipolar) de silicio NPN. Este pequeño transistor puede ayudar en su proyecto al usarse para ayudar a impulsar grandes cargas o amplificar o conmutar aplicaciones. El BC337 está clasificado específicamente a 50 V y 800 mA máx.
 
Nota: El BC337 es un reemplazo directo del transistor P2N2222AEste es el BC337, un BJT (transistor de unión bipolar) de silicio NPN. Este pequeño transistor puede ayudar en su proyecto al usarse para ayudar a impulsar grandes cargas o amplificar o conmutar aplicaciones. El BC337 está clasificado específicamente a 50 V y 800 mA máx.

Este es el BC549, un BJT (transistor de unión bipolar) de silicio NPN. Este pequeño transistor puede ayudar en su proyecto al usarse para ayudar a impulsar grandes cargas o amplificar o conmutar aplicaciones. El BC549 está clasificado específicamente a 30V y 100mA máximo.

Especificaciones:

- Vcbo: 30V

- Vceo: 30V

- Ic: 100mA

- Vebo: 5V

- Ptot: 500mW

- Tj: 150ºC

Para más detalles ver hoja de datos: BC549_550 Datasheet.pdf (237185)