IRF640N Power MOSFET N-Channel 200V @ 18A

Descripción:

Los MOSFET de potencia HEXFET® de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto del dispositivo por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, brinda al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. El paquete TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales e industriales a niveles de disipación de energía de aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria. El D2Pak es un paquete de energía de montaje en superficie capaz de acomodar tamaños de matriz de hasta HEX-4. Proporciona la capacidad de potencia más alta y la resistencia de encendido más baja posible en cualquier paquete de montaje en superficie existente. El D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia de conexión interna y puede disipar hasta 2,0 W en una aplicación típica de montaje en superficie. La versión de orificio pasante (IRF640NL) está disponible para bajo

Para más detalles ver hoja de datos: A-081.pdf (159136)