FQP2N60 N-Channel MOSFET 600V @ 2.4A
| Producto nº: | AD79281 |
| Tu precio: | US$1,80 |
| No. de artículos en existencia: | 40 |
| Disponibilidad: | En existencia |
Descripción:
Estos transistores de efecto campo de potencia canal-N de modo de mejora son producidos utilizando la tecnología de raya plana DMOS patentada de Fairchild. Esta avanzada tecnología ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en estado encendido y proporcionar una conmutación superior, dando un mejor rendimiento para un soporte de pulsos de alta energía en el modo de avalancha y conmutación. Estos dispositivos están bien adecuados para fuente de alimentación de modo conmutado de alta eficiencia.
Para más detalles ver hoja de datos: FQP2N60 Datasheet.pdf (584124)
Los transistores se producen utilizando la tecnología patentada de Fairchild,
raya plana, tecnología DMOS.
Esta avanzada tecnología ha sido especialmente diseñada para
Minimiza la resistencia en estado encendido y proporciona una conmutación superior.
Rendimiento y soporta pulsos de alta energía en el
modo de avalancha y conmutación. Estos dispositivos están bien
adecuado para fuente de alimentación de modo conmutado de alta eficiencia