IRF520N Transistor MOSFET Canal-N 100V @ 9.7A

Producto nº: AD3736
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Disponibilidad: En existencia

Descripción:

Los MOSFET de potencia de tercera generación de Vishay brindan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia y rentabilidad. El paquete TO-220 se prefiere universalmente para todas las aplicaciones comerciales e industriales a niveles de disipación de energía. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en la industria.

Características:

- Modelo: IRF520N

- Paquete / Cubierta: TO-220

- RoHS: Sí

- Polaridad del transistor N-Channel

Voltaje drenaje-fuente: 100V

- Voltaje compuerta-fuente: 20V

- Corriente continua de drenaje: 9.7A

- Estilo de montaje: Through Hole

- Puerta de carga Qg: 16.7 nC

- Disipación de energía: 48 W

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